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GS湯淺將新建鋰電池工廠并“計劃2012年春季正式投產(chǎn)”
日本GS湯淺（GS Yuasa）宣布，將在滋賀縣栗東市建設(shè)鋰離子充電電池工廠。該公司已于2009年11月16日為獲得土地而與栗東市開始交涉。該公司公關(guān)部介紹說，計劃2010年10月開工建設(shè)，“2012年春季正式投產(chǎn)”。
2009-11-26
GS湯淺 鋰電池工廠 正式投產(chǎn) 2012
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三年后我國半導(dǎo)體市場全球最牛 將趕超美國
畢馬威合伙人加利·馬圖薩克表示：“中國作為終端用戶市場，將變得越來越重要。”他表示，傳統(tǒng)上中國是制造業(yè)大國，不是消費(fèi)大國，但他預(yù)計，三年后中國市場將高出美國市場近1倍。
2009-11-26
畢馬威 半導(dǎo)體市場 全球最牛 趕超美國
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群創(chuàng)、奇美與統(tǒng)寶通過三合一合并方案
據(jù)臺灣媒體報道，全球第二大電腦顯示器制造商群創(chuàng)光電上周五傍晚發(fā)布重大消息稱，該公司近日與奇美電子及統(tǒng)寶光電同步召開臨時董事會，通過三合一合并案。三家公司預(yù)計明年元月6日召開股東臨時會通過合并案，三合一合并基準(zhǔn)日為明年4月30日。
2009-11-26
群創(chuàng) 奇美 統(tǒng)寶 合并方案
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IMEC開發(fā)的硅納米線太陽能電池使轉(zhuǎn)換效率達(dá)30％以上
在太陽能電池領(lǐng)域，瞄準(zhǔn)下下代太陽能電池的各種構(gòu)想不斷涌現(xiàn)。其中一種設(shè)想是在底板上排列細(xì)線狀的硅（硅納米線）。包括美國通用電氣（General Electric）在內(nèi)，目前世界各地都在進(jìn)行開發(fā)。
2009-11-25
IMEC 太陽能電池 硅納米線 EUV曝光
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最先進(jìn)液晶面板線項目啟動 投資逾200億
總投資達(dá)二百四十五億元的深圳市第八點五代薄膜晶體管液晶顯示器件生產(chǎn)線項目，十六日在深圳高交會上宣布正式啟動，標(biāo)志著中國主要依靠自主創(chuàng)新建設(shè)、中國內(nèi)地迄今最高世代液晶面板生產(chǎn)線項目落戶深圳。
2009-11-25
液晶面板線 最先進(jìn) TFT-LCD
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FDFMA2P859T:飛兆半導(dǎo)體推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現(xiàn)推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝版本，幫助設(shè)計人員提升其設(shè)計性能。飛兆半導(dǎo)體與設(shè)計工程師和采購經(jīng)理合作，開發(fā)了集成式P溝道PowerTrench? MOSFET與肖特基二極管器件FDFMA2P859T，利用單一封裝解決方案，滿足對電池充電和功率多工(power-multiple...
2009-11-25
飛兆半導(dǎo)體 MicroFET 薄型封裝 Farichild MOSFET
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中國電子報：今年第三季度是半導(dǎo)體業(yè)拐點
近日，企業(yè)第三季度財報紛紛出籠，產(chǎn)業(yè)好轉(zhuǎn)趨勢進(jìn)一步明朗化。但由于企業(yè)上升動力不足，產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)“V型”反彈的可能性不大，應(yīng)該會在振蕩中上升。
2009-11-25
第三季度 半導(dǎo)體業(yè) 拐點 中國電子報
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Vishay擴(kuò)展其超高可靠性貼片電阻的阻值范圍
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴(kuò)大了符合美軍標(biāo)MIL-PRF-55342認(rèn)證的E/H薄膜貼片電阻的阻值范圍，推出增強(qiáng)型E/H貼片電阻。該系列電阻采用緊湊的2208、2010和2512外形尺寸。增強(qiáng)后的器件使高可靠性應(yīng)用能夠用上更低阻值的電阻，在±25ppm/℃ TCR下的阻值為49.9Ω，容差為0.1%，10Ω電阻的容差...
2009-11-25
Vishay 擴(kuò)展 可靠性 貼片電阻 范圍
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中國在未來三年將成為拉動半導(dǎo)體行業(yè)增長的主要力量
畢馬威會計師事務(wù)所(KPMG)一項對半導(dǎo)體商高層的最新調(diào)查顯示，未來三年中國將成為該產(chǎn)業(yè)營收增長最重要的市場，其後是美國。
2009-11-24
半導(dǎo)體 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
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