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高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應用
在現今電力電子領域，高壓（HV）分立功率半導體器件變得越來越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產品系列以滿足發展中的需求。這些產品具有較低的損耗、更好的雪崩特性，以及高可靠性。本文重點介紹Littelfuse提供的≥2 kVHV分立硅MOSFET器件。
2023-07-08
高壓分立功率半導 分立Si MOSFET 電力電子領域
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PCB傳統四層堆疊的缺點
如果層間電容不夠大，電場將分布在電路板相對較大的區域上，從而層間阻抗減小，返回電流可以流回頂層。在這種情況下，該信號產生的場可能會干擾附近改變層的信號的場。這根本不是我們所希望的。不幸的是，在 0.062 英寸的 4 層板上，各層之間的距離較遠（至少 0.020 英寸，如圖 1 和圖 2 所示），并...
2023-07-07
PCB 四層堆疊
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補償 EMI 濾波器 X 電容對有源 PFC 功率因數的影響
現代開關模式電源使用 X 電容器和 Y 電容器與電感器的組合來過濾共模和差模 EMI。濾波器元件位于任何有源（或無源）功率因數校正 (PFC) 電路的前面（圖 1），因此 EMI 濾波器的電抗對功率因數 (PF) 造成的任何失真都會改變甚至完美的功率因數校正 (PFC) 電路。修正了電壓-電流關系。
2023-07-06
EMI 濾波器 X 電容 PFC 功率
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利用MAXQ3210進行環境監視
在MAXQ系列以及其他嵌入式微控制器中，MAXQ3210獨具特色。它把基于EEPROM的代碼和 數據存儲、壓電喇叭驅動器、9V穩壓器集成在低引腳數封裝內。高性能的16位RISC核使其運行 速度快，并且省電。由于是基于MAXQ10核， MAXQ3210不同于其他的MAXQ微控制器，它采 用的是8位累加器，而不是16位累加器。MAXQ...
2023-07-06
MAXQ3210 環境監視
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PCB 布局來減少二次諧波失真
值得一提的是，實際上，變壓器輸出不是理想的差分信號——兩個輸出之間可能存在相位和/或幅度不平衡。這些不平衡會增加二次諧波失真。可以看出，二次諧波幅度受相位不平衡的影響比幅度不平衡的影響更嚴重。
2023-07-06
PCB 諧波失真
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了解壓電傳感器：壓電效應
壓電加速度計的個關鍵方面是壓電效應。一般來說，壓電材料在受到機械應力時可以產生電力。相反，對壓電材料施加電場可以使其變形并產生小的機械力。盡管大多數電子工程師都熟悉壓電效應，但有時并沒有完全理解這種有趣現象的細節。
2023-07-06
壓電傳感器 壓電效應
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DC/DC開關電源電感下方到底是否鋪銅？
電感有交變電流，電感底部鋪銅會在地平面上產生渦流，渦流效應會影響功率電感的電感量，渦流也會增加系統的損耗，同時交變電流產生的噪聲會增加地平面的噪聲，會影響其他信號的穩定性。
2023-07-04
DC/DC開關電源 電感 鋪銅
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耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產品
功率MOSFET最常用于開關型應用中，發揮著開關的作用。然而，在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態繼電器等應用中，當柵極到源極的電壓VGS為零時，功率MOSFET需要作為常“開”開關運行。在VGS=0V時作為常 "開 "開關的功率MOSFET，稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。
2023-07-04
功率MOSFET 浪涌保護 高壓保護
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典型 RC 波形
然后，通過改變RC時間常數或輸入波形的頻率，我們可以改變電容器兩端的電壓，從而產生Vc和時間t之間的關系。這種關系可用于改變各種波形的形狀，以便電容器兩端的輸出波形幾乎與輸入波形相似。
2023-07-04
RC 波形
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