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TIG058E8：三洋半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出面積縮小60％的手機(jī)閃光燈用IGBT
三洋半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出了面積比原產(chǎn)品縮小約60%的氙氣閃光燈（Xenon Flash）用IGBT“TIG058E8”。主要用于手機(jī)的拍照功能。可通過(guò)IGBT的開(kāi)關(guān)操作瞬間釋放電容器內(nèi)存儲(chǔ)的電力，使氙氣管發(fā)光。
2009-02-02
IGBT TIG058E8 氙氣閃光燈
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富士通成立針對(duì)中國(guó)供應(yīng)商的電子元器件質(zhì)檢公司
富士通在江蘇省蘇州市成立了針對(duì)中國(guó)的電子電氣元件供應(yīng)商進(jìn)行質(zhì)量監(jiān)查和環(huán)境監(jiān)查的新公司，預(yù)計(jì)可大幅提高日本企業(yè)進(jìn)行質(zhì)檢和環(huán)境檢查的效率，幫助中國(guó)電子元器件廠商提高產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。
2009-02-02
質(zhì)量監(jiān)查 環(huán)境監(jiān)查 元器件質(zhì)檢
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FVXO-PC72：Fox 2.5伏壓控晶體振蕩器
Fox Electronics公司為XpressO振蕩器系列推出了一款2.5伏LVPECL壓控晶體振蕩器FVXO-PC72，該產(chǎn)品采用7x 5毫米封裝，并將頻率范圍從0.75兆赫至1.0千兆赫。
2009-02-02
振蕩器 壓控晶體振蕩器 FVXO-PC72
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NSMX系列：NIC PPS薄膜片式電容
近日，NIC Components公司推出一系列薄膜片式電容NSMX系列。該系列電容在較寬的工作溫度范圍內(nèi)具有極為穩(wěn)定的性能。
2009-02-02
NSMX SAC 薄膜片式電容 電容 硫化聚亞苯基
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IGBT模塊的并聯(lián)：從最壞情況模擬到完全統(tǒng)計(jì)方法
IGBT模塊在并聯(lián)時(shí)的降額必然性問(wèn)題是個(gè)關(guān)鍵的問(wèn)題，之前采用的方法是最壞情況分析方法，英飛凌公司現(xiàn)在推出蒙特卡羅模擬工具。最差情況分析結(jié)果僅僅表明最高結(jié)溫可能達(dá)到IGBT的溫度限值，蒙特卡羅分析則提供更詳細(xì)的信息。
2009-02-01
IGBT模塊 蒙特卡羅模擬工具 最差情況分析方法 IGBT
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ODC-2/ODC-4：法國(guó)雷迪埃新型室外光纖連接器
ODC室外連接器是法國(guó)雷迪埃集團(tuán)（RADIALL）最新推出的新型光纖連接器。
2009-02-01
室外光纖連接器 ODC-2/ODC-4 連接器
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TMOV34S：Littelfuse新款熱保護(hù)壓敏電阻
Littelfuse推出TMOV34S系列雙接線端版產(chǎn)品。它們是市場(chǎng)領(lǐng)先的TMOV系列熱保護(hù)壓敏電阻的新增產(chǎn)品，其代表了電路保護(hù)領(lǐng)域的新發(fā)展。它由34mm x 34mm壓敏電阻組件（MOV）以及熱感應(yīng)材料組成。當(dāng)出現(xiàn)過(guò)電壓而造成的過(guò)熱情況時(shí)，熱感應(yīng)材料的設(shè)計(jì)能夠使器件安全地?cái)嚅_(kāi)。
2009-02-01
熱保護(hù)壓敏電阻 TMOV34S UL 1449 脈沖 手機(jī)/通訊基站電源
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